1us respuesta 1000A Hall Effect Current Sensor EN50178

Datos del producto:

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	100
Detalles de empaquetado:	Embalaje original
Tiempo de entrega:	1-12 semanas
Condiciones de pago:	T/T

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Descripción detallada del producto

IPN actual de medición clasificado:	1000A	Gama de medición IPM:	±2100A
Voltaje de fuente de alimentación VC:	× DE DC± (15~24) (1±10%) V	Consumo actual IC (@±24V):	≤±35mA+ISN
Salida clasificada ISN de la medida:	333.33mA	Da vuelta al ratio:	1:3000
Δi básico del error (@IPN, TA=25℃):	el ≤±0.4%	ΔL de las linearidades (@IPN, TA=25℃):	el ≤±0.1%
Alta luz:	1us respuesta Hall Effect Current Sensor , Hall Effect Current Sensor EN50178 , transductor actual 1000A

Sensor actual NACL-1000B-S5/SP1

Detalles del producto

manual del producto

El sensor actual de Pasillo del equilibrio magnético NACL-1000B-S5/SP1 es conveniente para la medida exacta de la CA, de DC, y del aislamiento actual del pulso. El lado primario y el lado secundario se aíslan totalmente durante la medida.

ventajas del producto	Usos	Estándar de referencia
Alta precisión	CA del inversor de la CA	GB/T 25119-2010 EN50178 EN50155
Buenas linearidades	Impulsión privada del motor del servidor
Deriva de la baja temperatura	Con pilas
Banda ancha	Convertidor/inversor
Respuesta rápida	UPS/SVG

Parámetros eléctricos principales (@±IPN, TA = 25℃)
IPN actual de medición clasificado	1000A
Gama de medición IPM	±2100A
Voltaje de fuente de alimentación VC	× DE DC± (15~24) (1±10%) V
Consumo actual IC (@±24V)	≤±35mA+ISN
Salida clasificada ISN de la medida	333.33mA
Ratio de las vueltas	1:3000
RM de la resistencia de carga	@±15V, ±1000A: 0Ω~21Ω (70℃) 0Ω~19.5Ω (85℃) @±15V, ±1500A: 0Ω~10Ω (70℃) @±24V, ±1000A: 8.5Ω~48.5Ω (70℃) 10Ω~54Ω (85℃) @±24V, ±2100A: 10Ω~14Ω (70℃)

parámetros Exactitud-dinámicos
Δi básico del error (@IPN, TA=25℃)	el ≤±0.4%
ΔL de las linearidades (@IPN, TA=25℃)	el ≤±0.1%
Salida cero IO actual (@IP=0, TA = 25℃)	≤±0.5mA
Deriva cero IOT de la temperatura	≤±0.8mA
Tiempo de respuesta TR (el 90% de IPN&di/dt> 50 A/ΜS)	≤1µS